RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
59
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
59
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
1954
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link