RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 27
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3232

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
メモリRAM