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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 29
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 13.3
    テスト平均値
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB 考慮すべき理由
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 13.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2442

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9905622-058.A00G 8GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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