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PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
27
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.3
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
26
読み出し速度、GB/s
13.8
18.2
書き込み速度、GB/秒
8.4
17.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3938
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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