PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

総合得点

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点

Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

相違点仕様コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB

考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB

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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 27

周辺 -17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17 13.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 23
読み出し速度、GB/s

13.8 17.0
書き込み速度、GB/秒

8.4 12.5
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2274 2963

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

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Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

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AMD R538G1601U2S 8GB

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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

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Kingston HX432C15PB3/16 16GB

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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

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Kingston KF2666C16S4/16G 16GB

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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

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