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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
34
周辺 21% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.5
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.0
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
34
読み出し速度、GB/s
13.8
14.5
書き込み速度、GB/秒
8.4
10.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2337
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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