PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

総合得点

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点

Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

相違点仕様コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB

考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB

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Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

20 27

周辺 -35% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

19.1 13.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.6 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 20
読み出し速度、GB/s

13.8 19.1
書き込み速度、GB/秒

8.4 14.6
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2274 3471

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

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SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB

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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

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Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

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Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB

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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

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Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB

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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

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