RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 4% 低遅延
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3359

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
メモリRAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM