RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
比較する
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.3
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.8
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
29
読み出し速度、GB/s
13.8
18.3
書き込み速度、GB/秒
8.4
14.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3442
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link