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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
28
周辺 4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
12.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
10.2
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
28
読み出し速度、GB/s
13.8
12.8
書き込み速度、GB/秒
8.4
10.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2545
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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