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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
27
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.8
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.2
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
26
読み出し速度、GB/s
13.8
18.8
書き込み速度、GB/秒
8.4
15.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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