RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
比較する
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
13.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
29
読み出し速度、GB/s
13.8
13.1
書き込み速度、GB/秒
8.4
9.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2243
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
バグを報告する
×
Bug description
Source link