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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
29
読み出し速度、GB/s
13.8
16.1
書き込み速度、GB/秒
8.4
13.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3072
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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