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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
30
周辺 10% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.6
13.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
30
読み出し速度、GB/s
13.8
14.6
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2196
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
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