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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 31
    周辺 13% 低遅延
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3261

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Kingston 9905701-032.A00G 16GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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