RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 27
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3305

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB RAMの比較

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
メモリRAM
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
メモリRAM