RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
比較する
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.3
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.3
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
29
読み出し速度、GB/s
13.8
18.3
書き込み速度、GB/秒
8.4
15.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3555
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link