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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
28
周辺 4% 低遅延
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
19.6
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.6
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
28
読み出し速度、GB/s
13.8
19.6
書き込み速度、GB/秒
8.4
16.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3804
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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