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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
27
周辺 -8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.3
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.3
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
25
読み出し速度、GB/s
13.8
18.3
書き込み速度、GB/秒
8.4
16.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3849
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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