RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 50
    周辺 46% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.3
    テスト平均値
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 1976

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
メモリRAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM