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PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
27
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
26
読み出し速度、GB/s
13.8
16.2
書き込み速度、GB/秒
8.4
12.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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