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PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 5641152 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
INTENSO 5641152 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
6.8
テスト平均値
考慮すべき理由
INTENSO 5641152 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
27
周辺 -17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.1
13.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 5641152 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
23
読み出し速度、GB/s
13.8
14.1
書き込み速度、GB/秒
8.4
6.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2215
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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