RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 73
    周辺 63% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.8
    テスト平均値
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB 考慮すべき理由
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 73
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 1853

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
メモリRAM