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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
28
周辺 4% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
28
読み出し速度、GB/s
13.8
14.3
書き込み速度、GB/秒
8.4
8.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2361
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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