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PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
66
周辺 59% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.7
13.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
66
読み出し速度、GB/s
13.8
14.7
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
1699
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
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