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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
57
周辺 53% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
9.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.6
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
57
読み出し速度、GB/s
13.8
9.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2170
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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