RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 23% 低遅延
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.4 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2768

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
メモリRAM