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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
56
周辺 52% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
56
読み出し速度、GB/s
13.8
16.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
13.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2761
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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