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PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 37
    周辺 27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 6.3
    テスト平均値
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB 考慮すべき理由
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 12.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 6.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 1878

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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