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PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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考慮すべき理由
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
27
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.9
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
26
読み出し速度、GB/s
13.8
14.3
書き込み速度、GB/秒
8.4
10.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2744
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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