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PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
32
周辺 16% 低遅延
考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.9
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
32
読み出し速度、GB/s
13.8
15.9
書き込み速度、GB/秒
8.4
11.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2991
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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