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PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
27
周辺 -17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.5
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
23
読み出し速度、GB/s
13.8
15.3
書き込み速度、GB/秒
8.4
9.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2619
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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