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PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
19
27
周辺 -42% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.4
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.0
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
19
読み出し速度、GB/s
13.8
19.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
15.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
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