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PNY Electronics PNY 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
74
周辺 64% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
13.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
74
読み出し速度、GB/s
13.8
13.6
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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