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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
総合得点
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
総合得点
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
38
周辺 -52% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.1
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.6
10.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
25
読み出し速度、GB/s
16.7
18.1
書き込み速度、GB/秒
10.0
15.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2753
3663
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAMの比較
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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