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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
16.7
18.1
写入速度,GB/s
10.0
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3663
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
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