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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
総合得点
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
101
周辺 62% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
12.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.0
6.7
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
101
読み出し速度、GB/s
16.7
12.1
書き込み速度、GB/秒
10.0
6.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2753
1382
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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