RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

総合得点
star star star star star
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

総合得点
star star star star star
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 考慮すべき理由
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 86
    周辺 56% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 14.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.0 left arrow 8.1
    テスト平均値
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB 考慮すべき理由
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 86
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2753 left arrow 1658

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB RAMの比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
メモリRAM