RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
86
Intorno 56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
86
Velocità di lettura, GB/s
16.7
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
1658
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link