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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
総合得点
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
総合得点
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
54
79
周辺 -46% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
1,468.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
6400
周辺 3.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
79
54
読み出し速度、GB/s
3,061.8
10.4
書き込み速度、GB/秒
1,468.1
8.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
23400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
422
2259
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
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