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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

総合得点
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

総合得点
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V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB 考慮すべき理由
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.9
    テスト平均値
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    62 left arrow 79
    周辺 -27% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 1,468.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    79 left arrow 62
  • 読み出し速度、GB/s
    3,061.8 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,468.1 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    422 left arrow 1891

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Kingston 9905622-058.A00G 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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