Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

総合得点

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

総合得点

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

考慮すべき理由
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 15.8

テスト平均値

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

考慮すべき理由
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 106

周辺 -361% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

7.9 2,069.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 5300

周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

106 23
読み出し速度、GB/s

3,273.7 15.8
書き込み速度、GB/秒

2,069.2 7.9
メモリ帯域幅、mbps

5300 19200

Other

商品説明

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

734 2527

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB