Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

総合得点

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

総合得点

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 17000

周辺 1.25% 高帯域

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

22 42

周辺 -91% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

21.1 13.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

17.4 7.8

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

42 22
読み出し速度、GB/s

13.3 21.1
書き込み速度、GB/秒

7.8 17.4
メモリ帯域幅、mbps

21300 17000

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2181 4142

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Kingston KP6FH5-MIE 32GB

Kingston KP6FH5-MIE 32GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB