RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
4142
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link