RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
39
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2017
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-12800CL6-2GBXH 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link