RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
39
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2165
2017
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology 10242397 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0PS 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link