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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
総合得点
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
総合得点
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
40
周辺 -60% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
25
読み出し速度、GB/s
12.3
15.4
書き込み速度、GB/秒
7.8
11.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1806
1870
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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