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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
12.3
15.4
写入速度,GB/s
7.8
11.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
1870
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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