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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
49
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
42
读取速度,GB/s
10.9
15.6
写入速度,GB/s
8.7
11.5
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2595
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
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