RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
比較する
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
総合得点
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
総合得点
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
43
周辺 -54% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.4
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
7.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
28
読み出し速度、GB/s
11.4
14.4
書き込み速度、GB/秒
7.7
8.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1823
2489
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link